Описание
Технические характеристики:Одинарный кристалл, двусторонняя полировка, 2,3, 4 дюймаМатериал:Кремний высокой чистоты Si один кристаллическая подложка. Н/п опционально.Использует:1. PVD/CVD покрытие подложка2. Используется в качестве XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические тестовые подложки3. экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания5. Процесс литографии полупроводников и т. д.