4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление
  • 4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление
  • 4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление
  • 4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление
  • 4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление
  • 4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление
  • 4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление

4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление

7 059 руб.

Описание

Храктеристика устройства:

1 материал: силикон высокой чистоты
2 Размер: 4 дюйма
3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм
4 Толщина: 500um
Толщина оксида 5: 285 нм
6 Модель: P
7 Технические характеристики: двойной кислород
8: RСред с 0,001-0,005Омега (см)
9 направление кристаллов: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, образец роста атомных сил, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный лучевой эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.

4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление4 дюйма SIO2 0,001-0,005 ОМ* см/модель = двойной кислород/Кремниевая пластина толщина 500um кремниевый диоксид Вафля/Удельное сопротивление

Характеристики

Стандартный
GB
Номер модели
Crystal orientation 100/ Model P
Наличие стандарта
Стандарт
Габаритные размеры
Oxide thickness 285nm
Материал
Monocrystalline silicon

Сопутствующие товары